第一章 半导体的基础知识第一节 半导体二极管教学目的：1、了解半导体材料2、知道PN结的特性3、了解晶体二极管的结构和工作原理 4、掌握基本二极管电路的分析方法教学重点：1、PN结导电特性 2、二极管的导电特性及主要参数教学难点：1、PN结导电特性 2、二极管伏安特性教学方法与手段：1、教师讲授与学生练习、实验实训相结合 2、板书与多媒体课件相结合课时计划：4课时一、本征半导体纯净的半导体称为本征半导体1）半导体的特性按导电能力物质划分为:导体、绝缘体、半导体半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间半导体的导电特性：有热敏性、光敏性和掺杂性本征激发：我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激 发,又称为热激发本征激发产生了电子－空穴对二、杂质半导体1）N型半导体在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体,在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体自由电子--多数载流子（简称多子）,空穴--少数载流子（简称少子）2）P型半导体在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等，就构成了P型半导体，在这种半导体中，自由电子数远小于空穴数，导电以空穴为主，故此类半导体亦称为空穴型半导体。
三、 PN结1） PN结的形成在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层®因多子浓度差®形成内电场®多子的扩散®空间电荷区 ®阻止多子扩散，促使少子漂移PN结合 2） PN结的单向导电特性偏置电压：在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压1) PN结正向偏置正向偏置：给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),此时PN结处于正向导通状态如上图所示由于外加电场与内电场的方向相反,因而削弱了内电场,使PN结变窄,促进了多子的扩散运动形成了较大的正向电流2) PN结反向偏置反向偏置：给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏)。
只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流如上图所示由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动在外电场的作用下,应当指出,少数载流子是由于热激发产生的,因而PN结的反向电流受温度影响很大结论：PN结具有单向导电性即加正向电压时导通,加反向电压时截止四、半导体二极管一)、二极管的结构二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图4.7所示,(a)结构；(b)符号；(c)外形在图所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向类型：(1)按材料分:有硅、锗二极管和砷化镓二极管等 (2）按结构分:有点接触型、面接触型二极管、平面型二极管3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电等二极管4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管二)、二极管的伏安特性二极管伏安特性曲线若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如上图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）下面对二极管伏安特性曲线加以说明1. 正向特性：二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压。
如上图中OA(OA′)段死区电压：硅管约为0.5V,锗管约为0.1V当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态正向导通压降：硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V如图4.8中AB(A′B′)段二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结2.反向特性：二极管两端加上反向电压时,在开始很大*围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化此时的电流称之为反向饱和电流IR,见上图中OC（OC′）段3、二极管的击穿特性反向击穿：二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如C′D′)段三)、二极管的主要参数1. 最大整流电流IF2. 最大反向工作电压 URM本课小结：1.PN结是组成半导体二极管和其他有源器件的重要环节2.当PN结加正向电压时正向偏置时的情况，加反向电压时反向偏置的情况3．PN结具有单向导电性4、二极管的重要特性是单向导电性5、二极管的主要参数有最大整流电流、最大反向电压和最大反向电流练习题与作业题：1、思考题：PN结在什么情况下正偏？什么情况下反偏？2、作业题：PN结为什么具有单向导电性？3、《电子技术基础》教材P20 1-5。
第二节 半导体三极管教学目的：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数教学重点：了解半导体三极管结构、输入输出特性曲线、主要参数教学难点：输入输出特性曲线、电流放大作用教学方法与手段：教师讲授与学生练习、实验实训相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：4课时一.晶体三极管的结构结构组成：由两个PN结、3个杂质半导体区域和三个电极组成，杂质半导体有P、N型两种三个区：基区---很薄一般仅有1微米至几十微米厚.发射区---发射区浓度很高集电区---集电结截面积大于发射结截面积两个PN结：发射结---为发射区与基区之间的PN结集电结---为集电区与基区之间的PN结三个电极：发射极e、 基极b和集电极c; 分别从这三个区引出的电极 三个区组成形式：有NPN型和PNP型两种结构和符号如图所示NPN型 晶体三极管的结构图及表示符号PNP型三极管种类：按基片材料分---硅管，目前国内生产硅管多为NPN型（3D系列）； 锗管，目前国内生产锗管多为PNP型（3A系列）按频率特性分---高频管和低频管按功率大小分---大功率管、中功率管和小功率管等按组成形式分---有NPN型和PNP型两种。
实际应用中采用NPN型三极管较多PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向二、电流放大原理（1）产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏（2）三极管内部载流子的传输过程a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iEb）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iBc）集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 IC（3）电流分配关系：IE = IC + IB 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程三极管的电流放大作用：实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用当ICBO可以忽略时，上式可简化为把集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比定义为三极管的共发射极交流电流放大系数β，其表达式为：三、晶体三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。
三极管特性曲线的测试电路（一）输入特性曲线三极管的输入特性曲线如图下图所示1. 当uCE＝０时 从输入端看进去, 相当于两个ＰＮ结并联且正向偏置, 此时的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线 2. 当uCE≥1Ｖ时 图中可见,的曲线比uCE＝０V时的曲线稍向右移移动但当 uCE≥2Ｖ后，曲线基本重合二) 输出特性曲线（1） 放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置 （2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置 3） 饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置四、晶体三极管的主要参数1、三极管为共发射极接法静态（直流）电流放大系数： 三极管为共发射极接法，在集电极-发射极电压UCE一定的条件下，由基极直流电流IB所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态（直流）电流放大系数， 记作: 动态（交流）电流放大系数β：当集电极电压UCE为定值时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即：(二) 极间反向截止电流 １、发射极开路，集电极－基极反向截止电流ICBO ２、基极开路，集电极－发射极反向截止电流ICEO ICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。
也叫穿透电流ICEO＝（1＋β）ICBO，他们均随温度的上升而增大三）极限参数1、集电极最大允许电流ICM：当IC超过一定数值时β下降， β下降到正常值的2/3时所对应的IC值为ICM，当IC>ICM时，可导致三极管损坏2、集电极最大耗散功率PCM集电极最大耗散功率是指三极管正常工作时最大允许消耗的功率致击穿，施加在集电极—发射极之间允许的最高反向电压U(BR)CEO为发射极开路时集电结不致击穿，施加在集电极—基极之间允许的最高反向电压U(BR)EBO为集电极开路时发射结不致击穿，施加在发射极—基极之间允许的最高反向电压使用中取：本课小结1．三极管有硅管和锗管两种，硅管和锗管均有NPN型和PNP型两类2．为使三极管具有放大作用，必须满足的加电原则3．三极管放大作用的主要公式：（1） （2） （3）4．三极管的特性曲线：是指各电极间电压和电流之间的关系曲线 5．三极管的三种工作状态：1）放大；2）截止；3）饱和6．三极管的极限参数：1）集电极最大允许电流ICM；2）集电极最大耗散功率PCM3）反向击穿电压U(BR)CEO练习与作业：《电子技术基础》教材P21 1-6、1-7、1-8、1-9、1-10。
第三节 场效应管教学目的：1、了解场效应管的结构 2、掌握场效应管的工作原理教学重点：绝缘栅型场效应管的工作原理教学难点：绝缘栅型场效应管的工作原理教学方法与手段：1、教师讲授与学生练习相结合 2、板书与多媒体课件相结合课时计划：3课时一、 场效应管的特点及分类1、特点场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道2、分类FET分类： 绝缘栅场效应管结型场效应管N沟道P沟道二、 绝缘栅场效应管的结构及工作原理1、 结构绝缘栅型场效应管 ( Metal O*ide Semiconductor FET)，简称MOSFET分为： 增强型 : N沟道、P沟道 耗尽型: N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B符号：（2）工作原理①栅源电压uGS的控制作用当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。
当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层 再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGSN沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用当uGS＞UT，且固定为*一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响设UT=2V， uGS=4V）（a）uds=0时， id=0b）uds↑→id↑； 同时沟道靠漏区变窄c）当uds增加到使ugd=UT时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断d）uds再增加，预夹断区加长， uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变3）特性曲线①输出特性曲线：四个区：可变电阻区（预夹断前） 恒流区也称饱和 区（预夹断 后）夹断区（截止区）击穿区截止区恒流区可变电阻区击穿区②转移特性曲线：可根据输出特性曲线作出移特性曲线例：作uDS=10V的一条转移特性曲线：一个重要参数——跨导gm： gm=DiD/DuGS½ uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm2、N沟道耗尽型MOSFET在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS符号N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线输出特性曲线 转移特性曲线1GSu01D(V)-12-2(mA)432iUP42uu310V=+2V1DSGSD(mA)i= -1VuGSGSGS=0V=+1Vuu(V)= -2V＝UPGSu3、 P沟道耗尽型MOSFETP沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样4. MOS管的主要参数1）开启电压UT（2）夹断电压UP（3）跨导gm ：gm=DiD/DuGS½ uDS=const （4）直流输入电阻RGS——栅源间的等效电阻。
由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015三、 结型场效应管的结构与工作原理（同学们自已分析）本课小结：1、 FET分为JFET和MOSFET两种2、 工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性晶体管3、 FET是一种电压控制电流型器件改变其栅源电压就可以改变其漏极电流4、 FET的特性可用转移特性曲线和输出特性曲线来描述其性能可以用一系列参数来表征本课小结：1、场效管有两种,结型与绝缘栅型 2、绝缘栅型场效应管的结构与工作原理 3、绝缘栅型场效应管的特点及参数练习与作业：《电子技术基础》教材P21 1－11、1－12、1－13第二章 整流与滤波电路教学目的： 了解整流、滤波、稳压的工作原理教学重点： 单相桥整流电路工作原理、电容滤波、二极管稳压电路教学难点： 单相桥式整流电路教学方法与手段： 教师讲授与学生练习、实验实训相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：3课时第一节 单相整流电路整流电路：利用具有单向导电性能的整流元件如二极管等，将交流电转换成单向脉动直流电的电路称为整流电路整流电路按输入电源相数可分为单相整流电路和三相整流电路，按输出波形又可分为半波整流电路和全波整流电路。
目前广泛使用的是桥式整流电路一、 半波整流电路1、电路结构 上图是单相半波整流电路它是最简单的整流电路，由整流变压器Tr、整流元件D（晶体二极管）及负载电阻RL组成2、工作原理 当u2为正半周时，二极管D承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等，即io= id忽略二极管的电压降，则负载两端的输出电压等于变压器副边电压，即uo=u2 ，输出电压uo的波形与u2相同 当u2为负半周时，二极管D承受反向电压而截止此时负载上无电流流过，输出电压uo=0，变压器副边电压u2全部加在二极管D上3、负载两端电压、流过负载的电流及二极管两端最高反相电压与流过二极管的平均电流二、 单相桥式整流电路1、电路结构 由四个二极管接成电桥的形式构成的1、工作原理 u2为正半周时，a点电位高于b点电位，二极管D1、D3承受正向电压而导通，D2、D4承受反向电压而截止此时电流的路径为：a→D1→RL→D3→b u2为负半周时，b点电位高于a点电位，二极管D2、D4承受正向电压而导通，D1、D3承受反向电压而截止此时电流的路径为：b→D2→RL→D4→a 正、负半周交替工作后波形的合成情况3、负载两端电压、流过负载的电流及二极管两端最高反相电压与流过二极管的平均电流。
三、 单相全波整流电路的工作原理由同学们自行分析本课小结：1、介绍了整流的概念 2、了解了单相半波整流电路的结构及工作原理 3、掌握了单相桥式整流电路的结构及工作原理 4、整流电路的有关计算练习与作业：《电子技术基础》教材P35 2-2、2-1、2-3、2-4、2-5、2-6第二节 滤波电路教学目的： 了解滤波常用的元件及工作原理教学重点： 单相桥整流电路电容滤波电路教学难点 单相桥式整流电路电容滤波电路教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：3课时滤波的概念：整流电路可以将交流电转换为直流电，但脉动较大，在*些应用中如电镀、蓄电池充电等可直接使用脉动直流电源但许多电子设备需要平稳的直流电源这种电源中的整流电路后面还需加滤波电路将交流成分滤除，以得到比较平滑的输出电压滤波通常是利用电容或电感的能量存储功能来实现的一、电容滤波器组成：电容器与负载并联，是一个最简单的滤波器原理： 单相半波整流电容滤波电路的输出特性曲线如图所示从图中可见，电容滤波电路的输出电压在负载变化时波动较大，说明它的带负载能力较差，只适用于负载较轻且变化不大的场合。
桥式整流电容滤波电路的工作原理与半波相似，只不过是一个周期充放电两次，波形更加平稳二、 电感滤波 电感滤波适用于负载电流较大的场合它的缺点是制做复杂、体积大、笨重且存在电磁干扰三、 复合滤波电路 LC、CLCπ型滤波电路适用于负载电流较大，要求输出电压脉动较小的场合在负载较轻时，经常采用电阻替代笨重的电感，构成CRCπ型滤波电路，同样可以获得脉动很小的输出电压但电阻对交、直流均有压降和功率损耗，故只适用于负载电流较小的场合本课小结：1、滤波元件有两种，电容与电感，电容与负载并联，电 感与负载串联２、整流电路带电容滤波之后的有关计算练习与作业：《电子技术基础》教材P36 2-7、2-8、2-9、2-11第三节 二极管应用电路教学目的： 了解硅稳压二极管的结构及特性曲线教学重点： 简单硅稳压管稳压电路的工作原理教学难点 简单硅稳压管稳压电路的工作原理教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合学生实验实训相结合课时计划：3课时一、 稳压二极管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是反向击穿电压稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。
稳压管的主要参数：（1）稳定电压UZ反向击穿后稳定工作的电压2）稳定电流IZ工作电压等于稳定电压时的电流3）动态电阻rZ稳定工作*围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比即：rZ=ΔUZ/ΔIZ（4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流它们之间的关系是： PZ=UZIZM二、 简单硅稳压管稳压电路稳压二极管正常工作电压为：反向击穿电压工作原理： 输入电压Ui波动时会引起输出电压Uo波动如Ui升高将引起随之升高，导致稳压管的电流IZ急剧增加，使得电阻R上的电流I和电压UR迅速增大，从而使Uo基本上保持不变反之，当Ui减小时，UR相应减小，仍可保持Uo基本不变当负载电流Io发生变化引起输出电压Uo发生变化时，同样会引起IZ的相应变化，使得Uo保持基本稳定如当Io增大时，I和UR均会随之增大使得Uo下降，这将导致IZ急剧减小，使I仍维持原有数值保持UR不变，使得Uo得到稳定三、 发光二极管 当发光二极管的PN结加上正向电压时，电子与空穴复合过程以光的形式放出能量不同材料制成的发光二极管会发出不同颜色的光。
发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低（1.5～3V）、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的半导体器件，常用于信号指示、数字和字符显示四、 光电二极管光电二极管的正常工作电压为：反向电压光电二极管的又称为光敏二极管，其工作原理恰好与发光二极管相反当光线照射到光电二极管的PN结时，能激发更多的电子，使之产生更多的电子空穴对，从而提高了少数载流子的浓度在PN结两端加反向电压时反向电流会增加，所产生反向电流的大小与光的照度成正比，所以光电二极管正常工作时所加的电压为反向电压为使光线能照射到PN结上，在光电二极管的管壳上设有一个小的通光窗口本课小结：1、稳压二极管的特性曲线及参数 2、简单硅稳压管的稳压电路的工作原理 3、发光二极管与光电二极管的工作原理练习与作业：《电子技术基础》教材P36 2-12、2-13、2-14、2-15、2-16第三章 低频小信号放大电路第一节 放大器概述教学目的： 了解放大的概念、对放大器的基本要求教学重点： 对放大器的基本要求教学难点 放大器的输入、输出教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合。
课时计划：1课时一、放大的概念将微弱的电信号进行有限的放大得到所需要的信号放大器的方框图如下：放大器输入输出放大器满足的两个条件：1、 输出信号的功率大于输入信号的功率2、 输出信号的波形与输入信号的波形相同二、对放大器的要求1、要有足够的放大倍数2、要具有一定宽度的通频带3、非线性失真要小4、工作要稳定三、放大器的输入信号源放大器输出输入对输入信号的要求：输入电流不能过大，电压不能过高，功率不能太大，输入信号的幅度要限制在一定的*围内四、放大器的输出放大器后级电路输出输入对放大器输出端的要求：由放大器输出给下一级电路的电流、电压、功率都不能超过规定值本课小结：1、放大器的概念及组成放大器的条件 2、对放大器的基本要求 3、对放大器输入、输出端的要求第二节 三极管基本放大电路教学目的： 基本放大电路的组成教学重点： 基本放大电路的组成及各元件的作用教学难点 基本放大电路各元件的作用教学方法与手段： 教师讲授与学生练习、实验实训相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：6课时放大的实质：用较小的信号去控制较大的信号一、基本放大电路的组成（1）晶体管V放大元件，用基极电流iB控制集电极电流iC。
2）电源UCC和UBB使晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管处在放大状态，同时也是放大电路的能量来源，提供电流iB和iCUCC一般在几伏到十几伏之间3）偏置电阻RB用来调节基极偏置电流IB，使晶体管有一个合适的工作点，一般为几十千欧到几百千欧4）集电极负载电阻RC将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大，一般为几千欧5）电容Cl、C2用来传递交流信号，起到耦合的作用同时，又使放大电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用为了减小传递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至几十微法，通常采用电解电容器 共发射极放大电路的实用电路二、放大器中电流电压符号使用规定1、用大写字母带大写下标表直流分量，如IB、VC2、用小写字母带小写下标表交流分量，如ib、vc.3、用小写字母带大写下标表直流分量与交流分量的叠加，即总量如iB.4、用大写字母加小写下标表示交流分量的有效值如Vi、Vo三、放大器的静态工作点1、静态工作点的概念静态是指无交流信号输入时，电路的工作状态电路中由于电源的存在产生了一组直流分量如下图所示ui=0ICIEIB+UBE-+UCE--u+vR2boCCu1+R+CC-iVc由于(IB,UBE) 和( IC,UCE )分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，用Q表示，所以称为静态工作点。
IBUBEQIBUBEQUCEICICUCEIB2、放大器设置静态工作点的目的1)、放大器没有静态工作点的情况动态——ui≠0时电路的工作状态u+v2oCCu1+R+CC-iVc+_ uituotictibt_+ 放大器没有设置静态工作点产生了波形失真2)、放大器设置静态工作点的目的是保证信号不失真1+2CcCVRCCRbuituotIBtiB-u+iou+-放大器由于设置了静态工作点，保证了信号在整个周期放大器都处于放大状态，保证了信号不失真四、放大原理在放大电路中，设输入信号电压ui从基极与发射极输入，被输出的信号从集电极与发射极输出变化的ui产生了变化的ib,使各点的波形都产生了相应的变化它们的变化作用如下图所示uiuBEUBEibuCE UCEuouiuBE iB iC vCE vo从上图可知，输出信号与输入信号反相这是基本放大器的重要特点五、直流通路与交流通路1、直流通路：直流信号流经的路径直流通路的画法：将交流电源短路，电容开路。
开路开路-u+VR2LboCRCu1+R+CC-.iVc3、 交流通路：交流信号流经的路径交流通路的画法：将电容短路，直流电源对地短路经整理如下图所示六、基本放大电路的分析方法(一)、放大器的常用指标1、放大倍数1）、电压放大倍数AV AV＝VO/Vi2)、电流放大倍数Ai Ai=Io/Ii3)、功率放大倍数Ap Ap=Po/Pi2、放大器的增益1）、功率增益GP＝lgAp=10lg(Po/Pi)dB2)、电压增益Gv=20lgAv3)、电流增益Gi=20lgAi3、输入电阻和输出电阻、1）、输入电阻：从放大器的输入端看进去的交流等效电阻放大器的输入电阻越大越好，越大对信号源的影响越小2）、输出电阻：从放大器的输出端看进去的交流等效电阻放大器的输出电阻越小越好，越小对负载越好4、 通频带放大器的通频带是指放大器的幅频特性曲线的上限截止与下限截止频率之间的频率*围放大器的通频带不能太宽，也不能太窄太宽干扰信号易进，太窄会丢失信号二）、放大器的估算法1、静态工作点的估算(由直流通路估算)例1：计算下图所示电路的静态工作点已知：VCC=12V，RC=4KΩ，Rb=300KΩ ，β=37.5解：画出直流通路如下图所示IBRB＋UBE＝VCCIB＝（VCC－UBE）/Rb≈VCC/RB=12/300=30uAIC=βIB=40×37.5=1.5mAICRC＋UCE＝VCCUCE=VCC-ICRC=12-1.5×4=6V2、 输入电阻和输出电阻的估算（1）、三极管输入电阻rbe的估算公式（2）、放大器的输入电阻ri和输出电阻ro的估算ri=Rb rbe≈rbe ro≈Rc3、 放大器放大倍数的估算(由交流通路估算)ui=ii(Rb rbe) ≈ibrbevo=-ic(RCRL)=icR’Lic=βibvo=-icR’L=-βibR’LAv=vo/vi=(-βibR’L)/ibR’L=-βR'l本课小结:1、了解放大器中电流、电压符号使用规定.2、放大器的静态工作点的概念、静态工作点的作用.3、静态工作点、输入、输出电阻、放大倍数的估算.4、放大器的分析方法.练习与作业:《电子技术基础》教材P60 3-1、3-2、3-3、3-4、3-9、3-10.第二节 具有稳定工作点的放大电路教学目的：1、分压式偏置电路的结构及工作原理。
2、分压式偏置电路静态工作点、电压放大倍数、输入、输出电阻的计算教学重点：1、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理 2、静态工作点的计算教学难点：1、静态工作点的计算 2、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：2课时一、 分压式偏置电路的结构及工作原理一） 电路结构条件：I2>>IB，则与温度基本无关二）、工作原理温度对静态工作点的影响 温度升高 UBE 减小 ICBO 增大 β 增大 IC 增大 在该电路中与Re并联的电容Ce是提供交流信号的通道，减少信号的损耗，使放大器的交流信号放大能力不致因Re而降低二、 静态工作点的计算画出直流通路如下图所示：静态工作点的计算如下：三、 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算画出放大器的交流通路如下所示：例：图示电路（接CE），已知UCC=12V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，β=50试估算静态工作点，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻解：（1）用估算法计算静态工作点（2）求电压放大倍数（3）求输入电阻和输出电阻本课小结：1、分压式偏置电路的结构及工作原理。
2、分压式偏置电路的静态工作点的计算 3、分压式偏置电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算练习与作业：《电子技术基础》教材P60 3-11、3-12第三节 多级放大器教学目的：1、了解多级放大器的三种耦合方式2、掌握多级放大器的分析方法教学重点：1、 阻容耦合放大器的特点 2、多级放大器的分析方法教学难点：1、直接耦合放大器的分析教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：2课时一、 多级放大器的耦合方式多级放大器的耦合方式有三种：阻容耦合、变压器耦全、直接耦合一）、阻容耦合利用电阻和电容把前级和后级连接起来的耦合方式叫阻容耦合阻容耦合放大电路的特点各极之间通过耦合电容及下级输入电阻连接优点：各级静态工作点互不影响，可以单独调整到合适位置；且不存在零点漂移问题缺点：不能放大变化缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于需要大容量的耦合电容，因此不能在集成电路中采用二）、直接耦合放大电路优点：能放大变化很缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于没有耦合电容，故非常适宜于大规模集成缺点：各级静态工作点互相影响；且存在零点漂移问题。
零点漂移：放大电路在无输入信号的情况下，输出电压uo却出现缓慢、不规则波动的现象产生零点漂移的原因很多，其中最主要的是温度影响三）、变压器耦合变压器耦合放大电路的特点各极之间通过变压器连接优点：各级静态工作点互不影响，可以单独调整到合适位置；且不存在零点漂移问题缺点：不能放大变化缓慢的信号和直流分量变化的信号；变压器具有阻抗匹配作用变压器频率特性较差，体积大、笨重，不能在集成电路中采用二、 多级放大器的分析方法1、 电压放大倍数等于各级电压放大倍数之积注意：计算前级的电压放大倍数时必须把后级的输入电阻考虑到前级的负载电阻之中如计算第一级的电压放大倍数时，其负载电阻就是第二级的输入电阻2、输入电阻与输出电阻输入电阻就是第一级的输入电阻输出电阻就是最后一级的输出电阻3、频率特性与通频带通频带比任何单级放大器的通频带要窄4、 非线性失真多级放大器的非线性失真比任何单级放大器的非线性失真要大本课小结：1、学习了多级放大器的三种耦合方式2、三种耦合方式的优、缺点3、多级放大器的分析方法练习与作业：《电子技术基础》教材P60 3-6、3-7第四节 放大器的三种基本组态教学目的：1、了解放大器的三种基本组态即：共发、共基、共集。
2、掌握共集电极放大电路的特点及静态工作点的计算教学重点：掌握共集电极放大电路的特点及静态工作点的计算教学难点：掌握共集电极放大电路的特点及静态工作点的计算教学方法与手段： 教师讲授与学生练习相结合；板书与多媒体课件相结合课时计划：2课时一、 共集电极放大电路（共集电极放大电路）一）、电路特点1、输出电压与输入电压同相且略小于输入电压2、 输入电阻大3、 输出电阻小共集电极放大器的用途：共集电极放大器具有较高的输入电阻和较低的输出电阻，这是共集电极放大器射极最突出的优点共集电极放大器常用作多级放大器的第一级或最末级，也可用于中间隔离级用作输入级时，其高的输入电阻可以减轻信号源的负担，提高放大器的输入电压用作输出级时，其低的输出电阻可以减小负载变化对输出电压的影响，并易于与低阻负载相匹配，向负载传送尽可能大的功率二）静态工作点的计算画出共集电极放大电路的直流通路如下图所示例：图示电路，已知UCC=12V，RB=200kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，RS=100Ω，β=50试估算静态工作点，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻解：（1）用估算法计算静态工作点二、 共基级放大电路（由同学们自已进行分析）一）、特点1、输入与输出同相，电压放大倍数大小的计算与共发射极放大电路一样。
2、输入电阻较小3、输出电阻较大二）、静态工作点的计算与分压式偏置电路的计算相同本课小结：1、学习了共集电极放大电路的组成及其特点：输入与输出同相，电压放大倍数小于1而略等于1；输入电阻大；输出电阻小； 2、学习了共集电极放大电路的应用场合 3、掌握了共集电极放大电路的静态工作点的计算练习与作业：《电子技术基础》教材P61 3-15、3-16. z.。