用湿法刻蚀的方法在硅片上做连续V型槽图中V型槽的两个斜面为(111)晶面，底面为(100)晶面由晶体结构学原理可以知道，(111)晶面与(100)晶面的夹角为5474在(100)硅片上，沿着(110)方向腐蚀时可以暴露出倾角为54.74的(111)面，从而形成V型槽结构由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅(111)晶面的腐蚀速度远小于(100)面的因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图1所示的硅片V型槽将硅单晶体按(100)方向切成所需大小的硅片通过氧化、光刻、腐蚀，即可制作出合格的硅片v型槽1 氧化硅片经抛光表面、清洗后，在1130C 下，先通湿氧氧化2.5h,再通干氧氧化1h,在其表面就氧化出一层厚度大约为1um、均匀致密的氧化层，该氧化层作为腐蚀硅的掩模层2 光刻采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为50nm、80nm因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够这样，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金，再用铬、金作掩模腐蚀SiO2SiO2腐蚀液配为HF：NH4F：H20=1：2：3,腐蚀时间约10min这种双层掩模光刻法腐蚀出的SiO2层图形边缘平整、无锯齿最后去胶，将SiO2层残留的铬、金完全腐蚀掉。
整个光刻过程如图2所示图2湿法刻蚀流程示意图3 硅腐蚀将已定域腐蚀SiO2层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为氢氧化钾：异丙醇：水=1：2：2在78C 下腐蚀由于硅的腐蚀存在各向异性，经一定的腐蚀时间，大约80min即可得到要求的V型槽另外，为防止V型槽底部出现“小岛”在腐蚀过程中，需要一定的搅拌。