单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,*,单击此处编辑母版文本样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,*,*,单击此处编辑母版文本样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,*,单击此处编辑母版文本样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,*,THANK YOU,谢谢,光伏组件输出功率光致衰减问题的讨论,张光春 陈如龙 孙世龙 李剑,蒋仙 温建军 高瑞 施正荣,无锡尚德太阳能电力有限公司,报告内容提要,引言,（,一）,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,（,二）,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,（三）光伏组件的初始光致衰减试验,（四）光伏组件输出功率初始衰减问题的解决方案,2,引言,光伏组件输出功率的衰减可分为两个阶段：,第一个阶段,，我们可以把它称作初始的光致衰减，即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定。
导致这一现象发生的主要原因是,P,型（掺硼）,晶体,硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命第二个阶段,，我们可以把它称作组件的老化衰减，即在长期使用中出现的极缓慢的功率下降，产生的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料的性能退化有关3,引言,为什么光致衰减现象又被关注：,P,型,(,掺硼,),的太阳电池的光致衰减现象是在七十年代发现的，为什么近期光伏产业界和研究机构又对此产生了较大的关注呢？其主要原因是由于,光致衰减导致的,一些光伏组件的功率下降幅度远远超出了客户所能接受的范围，这就使组件制造商面临着潜在的赔偿风险4,引言,导致光伏组件功率出现早期下降的主要原因有：,（,一）硅片质量差，导致电池出现较大幅度的初始光致衰减；,（二）组件制造工艺不合理，出现诸如电池片隐裂、,EVA,交联度不好、脱层、焊接不良等质量问题,（三）些组件制造商功率测试不准确或有意在输出功率上虚报5,一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,30,多年前，,H.Fischer and W.,Pschunder,等人首次观察到,P,型（掺硼）晶体硅太阳电池的初始光致衰减现象,6,大家基本一致的看法是：,光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降，但经过退火处理，少子寿命又可被恢复，其可能的反应为：,Bs,2Oi,（少子寿命高）,光照或电流注入,退火处理,BsO,2i,（少子寿命低）,一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,7,据文献中报道,：,（一）含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的衰减（如图,2,、图,3,、图,4,所示）。
硅片中的硼、氧含量越大，在光照或电流注入条件下产生的硼氧复合体越多，少子寿命降低的幅度就越大二）在低氧、掺镓、掺磷的硅片中少子寿命随光照时间的衰减幅度极小一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,8,一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,图,2,低氧掺硼、有氧掺磷、有氧掺硼的,Fz,硅片,和有氧掺硼,Cz,硅片少子寿命衰减随光照时间的关系,(2),9,一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,图,3,掺硼、掺镓、掺磷的,Cz,硅片和硼掺杂的,MCZ,硅光照前后少数载流子寿命的变化,(3),10,一,.,P,型,(,掺硼,),晶体硅太阳电池初始光致衰减机理,图,4,不同硼掺杂浓度硅片的少子寿命随时间的变化关系,(4),11,二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,(,一）,P,型（掺硼）单,/,多晶硅片少子寿命的光致衰减试验,原始硅片的光致衰减试验,硅片不做任何处理，测试光照前和光照后的少子寿命图,5,未经清洗、钝化的单,/,多晶裸硅片少子寿命随时间的变化关系,试验结论：,从图,5,可以看出，单,/,多晶裸硅片若不经过清洗钝化，其少子寿命几乎随着光照时间变化不大，这是因为硅片表面复合中心占主导地位，掩盖了光照对体少子寿命的影响，因此对不经过清洗、钝化的裸硅片，无法确定少子寿命与光照时间的对应关系，也就无法判断硅片的质量,12,表面钝化硅片的光致衰减试验,去除硅片损伤层硅片清洁,+,硅片表面钝化（碘酒），测试光照前和光照后的少子寿命。
二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,图,6,清洗、钝化后单,/,多晶硅片少子寿命和光照时间的关系,试验结论：,钝化后硅片的表面复合已不占主要地位，而以体内复合为主，且硅片的体少子寿命随光照而衰减不同质量的材料在光照之后其少子寿命衰减幅度有较大差别，由此基本可以预测出用此硅片制作的电池的初始光致衰减的程度以及可达到的最高电池转换效率13,表面钝化硅片的光致衰减及退火恢复试验,将这些光照衰减后的硅片进行退火处理，硅片的寿命得到很大程度的恢复这和文献中的报道是一致的，如图,7,所示二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,图,7,单晶硅片少子寿命经过退火后恢复,14,二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,（,二）,P,型（掺硼）单,/,多晶硅太阳电池的初始光致衰减试验,未封装的单晶硅单体太阳电池的初始光致衰减试验,图,8,单晶电池（相对衰减,5.7%,）,I-V,曲线,图,10,单晶（相对衰减,0.8%,）电池,I-V,曲线,15,二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,未封装的多晶硅单体太阳电池的初始光致衰减试验,图,9,多晶电池（相对衰减,3.64%,）的,I-V,曲线,图,11,多晶（相对衰减,0.2%,）的电池,I-V,曲线,16,二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,光照前后电池片的量子效率对比,光照后，长波响应变差，这表明光照后电池片体内的少子寿命已发生了衰减。
17,二,.,P,型,(,掺硼,),晶体,硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验,电池片光照后的退火处理,选取不同衰减程度的电池片进行退火处理，效率也得到很大程度的恢复，这和文献中的报道一致18,当前硅片质量的状况：,主流电池片的相对衰减：单晶电池片不超过,1%,，多晶电池片不超过,0.5%,某些质量很差的硅片做成电池后，其相对衰减接近,%,（单晶）和,4%,（多晶），这些衰减大的电池片是需要我们关注的3.,个别质量特别差的硅片做成电池后，其相对衰减超过,%,（单晶），对这种特别差的材料进行理化分析，发现其中的硼、磷等杂质含量都是严重超标三光伏组件的初始光致衰减试验,光伏组件的核心组成部分就是太阳电池，如果太阳电池的性能发生率减，就必然导致光伏组件的输出功率下降，并极易在组件中引起热斑,.,若电池串与串之间电流不一致，在接了旁路二极管的组件特性曲线上可看到,“,台阶曲线,”,通过测量光照前后组件的输出特性曲线和红外成像分析,可以考察组件的初始光致率减现象,20,三光伏组件的初始光致衰减试验,（一）正常组件的输出特性曲线及红外成像,图,13,正常组件的,IV,特性曲线,图,14,正常组件的红外成像,（温度相差仅,1.4,）,21,三光伏组件的初始光致衰减试验,（二）组件光照后，输出特性曲线及红外成像,如果电池的衰减基本一致，尽管输出功率下降，但,I-V,曲线还是正常的，也无热斑出现，其曲线和红外图像与正常组件类似。
如果电池的衰减不一致，将导致,I,V,曲线出现台阶，如图,15,所示,图,15,小台阶 大台阶,22,三光伏组件的初始光致衰减试验,c.,有,热斑组件的红外成像,对于出现台阶曲线的组件用红外成像检查，可发现有些组件出现热斑，如图,16,所示：这种热斑的温度与周围电池的温度相差较大，过热的区域可引起,EVA,加快老化变黄，使该区域透光率下降，从而使热斑进一步恶化，导致组件的早期失效图,16,异常组件的红外成像，出现热斑,（温度相差,11.3,）,23,案例分析,我们对某硅片供应商提供的一批质量极差的硅片进行了全过程的跟踪试验，将转换效率为,16.%,的电池片，经弱光光照,1.5,小时后,(,光源为节能灯,11W X 40,只,),，发现电池片转换效率大幅衰减，且离散性也很大，效率最高的为,15.4%,，最低的仅为,13%,，如图,17,所示图,17,质量极差的硅片做成的电池片，弱光光照后效率分布图,24,案例分析,将光照后的电池重新检测分档，按转换效率的分布情况做成,14,块组件，组件经太阳光光照后的功率又进一步下降，如图,18,所示：,结论；,光照强度影响组件功率的衰减幅度,尽管普通的节能灯没有使该电池片衰减到稳定的程度，但是通过光照后二次分选剔出了效率衰减大的电池片，使每个组件内电池片性能基本一致。
对这类电池，如果不经过光照和二次分选而直接做成组件，那些衰减较为严重的电池片，会分散在各个组件内，导致组件的整体功率下降更多，并将引起组件曲线异常和热斑这批电池转换效率衰减幅度在,10%,到,24%,之间,!,25,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,太阳电池性能的初始光致衰减现象主要发生在单晶硅太阳电池上，对于多晶硅太阳电池来讲,其转换效率的初始光致衰减幅度就很小由此可见硅片自身的性质决定了太阳电池性能的初始光致衰减程度因此要解决光伏组件的初始光致衰减问题，就必须从解决硅片问题入手，下面就几个方案进行讨论26,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,（一）改进,掺硼,P,型直拉单晶硅棒的,质量,在国内，掺硼,P,型直拉单晶是目前硅棒市场的主流产品，单晶棒的质量确实令人担忧，单晶棒制造商必须认真对待这个问题其实直拉单晶工艺是很成熟的，只要我们把好用料质量关，按正规拉棒工艺生产，硅棒的质量是可以得到较好控制的建议如下：,避免使用低质量的多晶硅料,严格控制,掺入过多低电阻率,N,型硅料，如,IC,的废,N,型硅片等,避免生产高补偿的,P,型单晶棒,这种硅棒，尽管电阻率合适，但硼氧浓度非常高，将导致太阳电池性能出现较大幅度的初始光致衰减,提高拉棒工艺，减少晶体硅中氧含量,降低内应力,降低缺陷密度,改进电阻率的均匀性。
27,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,（,二）利用,磁控直拉硅单晶工艺（,MCZ,）改进单晶硅棒产品,质量,此工艺不仅能控制单晶硅中的氧浓度，也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善，这种工艺已在国内部分拉棒公司开始试用28,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,（三）利用,区熔单晶硅工艺（,FZ,）改进单晶硅棒产品,质量,区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进入硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了,P,型（掺硼）太阳电池的初始光致衰减现象因,FZ,工艺成本较高，主要用于,IC,和其它半导体器件的硅片制造，但目前已有公司对,FZ,工艺进行相关改造，降低了成本，可适合于太阳电池硅片的制造国内有技术实力的拉棒公司已开展了这方面的试制工作,.,29,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,（四）改变掺杂剂，用镓代替硼,用掺镓的硅片制作的电池，没有发现太阳电池的初始光致衰减现象，（见图），因此改掺硼为掺镓，也是解决太阳电池初始光致衰减的办法之一，国内技术力量强的企业已在开始做这方面的工作30,四光伏组件输出功率初始衰减的解决方案,（五）使用掺磷的,N,型硅片代替掺硼的,P,型硅片,使用,N,型硅片也是解决电池初试光致衰减问题的方法。