2014北京大学947数字与模拟电路 真题回忆版by海棠(注：电阻符号没标，请自定义带“极”放大器，是我记不清上下正负号)1. mos搭门电路三个（好像有与或非门，不是书上有的，搞懂了才能搭出来）2. 用D触发器和门电路，搭6位减法器3. ROM、RAM、KRAM存储单元的区别？各自用途？4. C=M(1,3,4,7,8,13,14,15),卡诺图化简？或非表达式？逻辑图？5. 用非门、与门、或门搭三位比较器,L=A>B6. 反馈类型及理由？表达式？加偏置电压，增益无穷大,,问表达式？7. 表达式？δ和关系？动能大小？8. 若Rc=120k,=0.6v,问Vo?若Rc=60k,=5.6v,问Vo？问 、IC 、幅频特性、相频特性，特征频率？9. =4，Q1和Q2集电结面积比1:8，问电流？10. 1）左图β很小，问Iin 和Iout关系式？ 2）右为wilson电流源，比左图电流源的优势？问Iin Iout β关系式？若换成P沟道MOS，还有没有优势？11. 图为迟滞电压比较器，=5+9sin(t)，问vo波形？。
