门极可断晶闸管(gate turn-o任thyristor,GTO)是一种具有自断能力的晶闸管处 于断态时，如果有阳极正向电压，在其门极加上正向触发脉冲电流后，gto 可由断态转入通态，已处于通态时，门极加上足够大的反向脉冲电流，GTO 由通态转入断态由于不需用外部电路强迫阳极电流为0而使之关断，仅由门 极加脉冲电流去关断它；所以在直流电源供电的DC—DC, DC—AC变换电 路中应用时不必设置强迫关断电路这就简化了电力变换主电路，提高了工 作的可靠性，减少了关断损耗，与SCR相比还可以提高电力电子变换的最高 工作频率因此，gto是一种比拟理想的大功率开关器件一、构造与工作原理1、构造i— 佚 呼讥 W—gt O是一种PNPN4层构造的半导体器件，其构造、等效电路及图形符号示于图1中图1中A、G和K分别表示gto 的阳极、门极和阴极al为PN P晶体管的共基极电流放大系数，a2为NPN1 1 2 2 2 1晶体管的共基极电流放大系数，图1中的箭头表示各自的多数载流子运动方 向通常al比a2小，即PNP晶体管不灵敏，而N P N晶体管灵敏GTO导1 1 2 2 2 1 O通时器件总的放大系数a1+a2稍大于1，器件处于临界饱和状态，为用门极负 信号去关断阳极电流提供了可能性。
普通晶闸管SCR也是PNPN4层构造，外部引出阳极、门极和阴极，构成 一个单元器件GTO称为gto元，它们的门极和阴极分别并联在一起与SCR 不同，gto是一种多元的功率集成器件，这是为便于实现门极控制关断所采 取的特殊设计gto的开通和关断过程与每一个gto元密切相关，但gto元的特性又不等 同于整个gto器件的特性，多元集成使GTO的开关过程产生了 一系列新的问 题2、 开通原理I j由图1〔b〕所示的等效电路可以看出，当阳极 加正向电压，门极同时加正触发信号时，gTO导通，其具体过程如图2所示显然这是一个正反应过程当流入的门极电流I足以使晶体管NPNG 2 2 1的发射极电流增加，进而使晶体管PNP的发射极电流也增加时，al和a2增1 1 2加当a1+a2>1之后，两个晶体管均饱和导通，GTO那么完成了导通过程可 见，gto开通的必要条件是a1+a2>1， 〔1〕此时注入门极的电流I =[1-〔a1+a2〕I ]/ a2 〔2〕G A式中，I gto的阳极电流；AI gto的门极电流G由式〔2〕可知，当gto门极注入正的电流I但尚不满足开通条件时，虽G有正反应作用，但器件仍不会饱和导通。
这是因为门极电流不够大，不满足 a1+a2>1的条件，这时阳极电流只流过一个不大而且是确定的电流值当门极 电流IG撤销后，该阳极电流也就消失与a1+a2=1状态所对应的阳极电流为 临界导通电流，定义为GTO的擎住电流当GTO在门极正触发信号的作用下 开通时，只有阳极电流大于擎住电流后，GTO才能维持大面积导通｛｛分页｝｝由此可见，只要能引起al和a2变化，并使之满足a1+a2>1条件的任何因 素，都可以导致PNPN4层器件的导通所以，除了注入门极电流使GT°导通 外，在一定条件下过高的阳极电压和阳极电压上升率du/dt，过高的结温及火 花发光照射等均可能使GT°触发导通所有这些非门极触发都是不希望的非 正常触发，应采取适当措施加以防止实际上，因为GTO是多元集成构造，数百个以上的GTO元制作在同一硅 片上，而GTO元的特性总会存在差异，使得GTO元的电流分布不均，通态压 降不一，甚至会在开通过程中造成个别GTO元的损坏，以致引起整个GTO的 损坏为此，要求在制造时尽可能使硅片微观构造均匀，严格控制工艺装备 和工艺过程，以求最大限度地到达所有GTO元的特性的一致性另外，要提 高正向门极触发电流脉冲上升沿陡度，以求到达缩短GTO元阳极电流滞后时 间，加速GT °元阴极导电面积的扩展，缩短GTO开通时间的目的。
3、 关断原理A⑻芙断订稈尊裁电路圈3 GTD关艇电路与 关底连程波揺GTO开通后可在适当外部条件下关断，其关断电路原理与关断时的阳极和门极电流如图3所示关断gto时，将开关S闭合，门极就施以负偏置电压U晶体管PN P的集电极电流I被抽出形成G 112 C1门极负电流-I，此时晶体管NPN的基极电流减小，进而引起I的进一步下G 2 2 1 C1降，如此循环不已，最终导致GTO的阳极电流消失而关断GTO的关断过程分为三个阶段：存储时间〔ts〕阶段，下降时间(t?阶段,尾部时间(t )阶段关断过程中相应的阳极电流i、门极电流i、管压降ut A G AK和功耗P 随时间的变化波形如图3(b)所示off〔1〕 t阶段GTO导电时，所有GTO元中两个等效晶体管均饱和，要 s用门极控制GTO关断，首先必须使饱和的等效晶体管退出饱和，恢复基区控 制能力为此应排除P基区中的存储电荷，t阶段即是依靠门极负脉冲电压2 s抽出这局部存储电荷在t阶段所有等效晶体管均未退出饱和，3个PN结都s还是正向偏置；所以在门极抽出存储电荷的同时，GTO阳极电流i仍保持原A先稳定导电时的数值I ,管压降u 也保持通态压降A AK〔2〕 t阶段。
经过t阶段后，PNP等效晶体管退出饱和，NPN晶f s 1 1 2 2 2 1体管也恢复了控制能力，当i变化到其最大值-I 时，阳极电流开场下降，G GM于是al和a2也不断减小，当a1+a2W 1时，器件内部正反应作用停顿，称此点 为临界关断点Gto的关断条件为a1+a2<1， 〔3〕关断时需要抽出的最大门极负电流-I为GM|-I |>[〔a1+a〕-1]I /a2， 〔4〕GM ATO式中，I 被关断的最大阳极电流；ATOI 抽出的最大门极电流GM由式〔4〕得出的两个电流的比表示gto的关断能力，称为电流关断增益， 用0表示如下：卩=I /|-I | 〔5〕of off ATO GM0是一个重要的特征参数，其值一般为3〜8off在tf阶段，GTO元中两个等效晶体管从饱和退出到放大区；所以随着阳极 电流的下降，阳极电压逐步上升，因而关断时功耗较大在电感负载条件下, 阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断损耗尤为突出 {{分页}}〔3〕 t阶段从gto阳极电流下降到稳定导通电流值的10%至阳极电t流衰减到断态漏电流值时所需的时间定义为尾部时间tt在t阶段中，如果U 上升du/dt较大时，可能有位移电流通过PN结t AK 2 1注入P基区，引起两个等效晶体管的正反应过程，轻那么出现I的增大过程,2 A重那么造成gto再次导通。
随着du/dt 上升减慢，阳极电流I逐渐衰减A如果能使门极驱动负脉冲电压幅值缓慢衰减，在t阶段，门极依旧保持t适当负电压，那么t时间可以缩短t二、特性与参数1、 静态特性〔1〕阳极伏安特性GTO的阳极伏安特性如图4所示当外加电压超过正向转折电压U 时,GTO DRMGTO即正向开通，这种现象称做电压触发此时不一定破坏器件的性能；但 是假设外加电压超过反向击穿电压U<, /SPAN〉 之后，那么发生雪崩击穿RRM现象，极易损坏器件用90%U 值定义为正向额定电压，用90%U 值定义为反向额定电压DRM RRMGTO的阳极耐压与结温和门极状态有着密切关系，随着结温升高，GTO的 耐压降低，如图5所示当gto结温高于125°C时，由于al和a2大大增加，自 动满足了 a1+a2>1的条件；所以不加触发信号GTO即可自行开通为了减小 温度对阻断电压的影响，可在其门极与阴极之间并联一个电阻，即相当于增 设了一短路发射极I GT仆的阳啟缺安样性Lt] ■：> GTO阳撥耐匡与结诅的关瑕GTO的阳极耐压还与门极状态有关，门极电路中的任何毛刺电流都会使阳极耐压降低，开通后又会使GT o擎住电流和管压降增大。
图〔6〕表示门极状态对GTO阳极耐压的影响，图(6)中i和i相当于毛刺电流，i
A〔2〕gTO的关断特性GT的门极、阴极加适当负脉冲时，可关断导通着的GTO阳极电流关 断过程中阳极电流、电压及关断功率损耗随时间变化的曲线，以及关断过程 中门极电流、电压及阳极电流、电压随时间变化的曲线如图(9)所示由图〔9〕可以看出，整个关断过程可由3个不同的时间间隔来表示，即存储时间t、下降时间t和尾部时间t存储时间t对应着从关断过程开场，s f t s到出现a1+a2=1状态为止的一段时间间隔，在这段时间内从门极抽出大量过 剩载流子，GTO的导通区不断被压缩，但总的电流几乎不变下降时间tf对 应着阳极电流迅速下降，门极电流不断上升和门极反电压开场建立的过程， 在这段时间里，GTO中心结开场退出饱和，继续从门极抽出载流子尾部时 间t那么是指从阳极电流降到极小值开场，直到最终到达维持电流为止的电 t流时间在这段时间内仍有残存的载流子被抽出，但是阳极电压已建立；因此很容易由于过高的重加du/dt，使GTO关断失效，这一点必须充分重视GTO的根本构造和工作原理GTO 的根本构造GTO 是一种电流控制型的自关断双极器件，当门极引入正向电流时导通，引 入反向电流是关断，但不能像 GTR 那样在门极信号撤除时也能自行关断。
这就是 说，GTO跟普通晶闸管一样，一旦导通即能在导通状态下自锁〔Latch-up〕，是一 种必须靠门极电流的极性变化来改变通断状态的晶闸管图3-1 GTO并联单元构造的断面示意图GTO的根本构造与根本工作原理与普通晶闸管大同小异，只是为了实现门极 关断和提高门极的控制能力而扩大了 P基区（门极区）对N+发射区〔阴极区〕的相 对面积，并将N+发射区化整为零，分置与P区环绕之中，这些别离开的微小N+ 发射区通过共用P基区，N+基区，P发射区，形成GTO的管芯的全部晶闸管单 元，每个单元晶闸管各有其独立的阴极，通常用压接方式把他们并联于同一阴极压 块上GTO的阳极通常是烧结在公共P发射区外表的钼片或钨片，而门极那么是 淀积在P基区外表的梳状铝层对于面积较大的圆形芯片，门极可做成多级同心 梳状环，梳齿与排成环状的单元相间其中图3 — 1所示为GTO管芯的局部断面示 意图GTO的阴极和门极并不在同一平面上，这有利于阴极的压接和门极的引出同时，每个晶闸管单元为 J 结通过台面造型也改善了结外表的电压阻断能力由此可见，GTO的制造工艺比普通晶闸管的制造工艺精细的多，复杂的多3.1.2 GTO 的工作原理GTO 同普通晶闸管在构造上的主要区别，除了化整为零这一点外，还有两个 显著之点。
其一是 GTO 用门极包围阴极，而普通晶闸管用阴极包围门极，不管 是中央门极构造还是放射状门极构造；其二是 GTO 没有阴极短路点为了改善 GTO关断特性和高温特性，有在阳极设短路点的所谓阳极短路型GTO,这种GTO 的反向阻断能力较差就每个单元而言，GTO的开通过程与普通晶闸管完全一样，也是靠门极注入 正向电流来满足导通条件：a+a>1,并且也是在N+发射区邻近门极的边沿首先 12导通，然后通过等离子体扩展实现全面导通，略有不同的是，GTO的导通是同时 在各个单元里发生的，等离子体在各个单元里同时从边沿向中心扩展，而普通晶 闸管作为一个完整的大单元来开通，等离子体的扩展面积要大的多GTO的关断过程也是在各个单元里同时进展的，但其关断方式和原理与普通 晶闸管不同，它是靠反偏门极对P基区中空穴的抽取来实现关断的对于晶闸管 类型的器件来说，P基区中的等离子体是维持导通的必要条件当等离子体中的 空穴随着门极负电流流走时，J结和J结的正偏条件被消弱，N+发射区通过J结2 3 3 向 P 基区注入额外电子的注入效率相对下降，直至完全失去正偏条件，停顿额外 电子的注入当然，这个过程也是在每个单元里从边沿向中心逐渐推进的，等离 子体从外向里逐渐缩小，J结从外向里逐渐恢复阻断作用。
当等离子体收缩到一定 限度时J结仍然保持正偏状态的中央局部有限的注入已难以通过内部电流的再生 正反应作用维持整个单元的导通状态，于是J结恢复反偏状态，GTO的每个单元3都恢复了 J2结的反向阻断能力时即被关断GTO〔以P型门极为例〕是由PNPN四层半导体材料构成，其三个电极分别为阳极A、阴极K和门极G,图3-2是其构造及电路图形符号可 图3-2 GTO的构造、等效电路及图形符号当在晶闸管的阳极与阴极之间加反向电压时，这时不管控制极的信号情况如 何，晶闸管都不会导通当在晶闸管的阳极与阴极之间加正向电压时，假设在控 制极与阴极之间没有电压或加反向电压，晶闸管还是不会导通只有当在晶闸管 的阳极与阴极之间加正向电压时，在控制极与阴极之间加正向电压，晶闸管才会 导通但晶闸管一旦导通，不管控制极有没有电压，只要阳极与阴极之间维持正 向电压，那么晶闸管就维持导通电特性，即当其阳极A、阴极K两端为正向电压，在门极G上加正的触发电 压时，晶闸管将导通，导通方向AfK当GTO处于导通状态，假设在其门极G上加一个适当负电压，那么能使导通的 晶闸管关断〔普通晶闸管在靠门极正电压触发之后,撤掉触发电压也能维持导通, 只有切断电源使正向电流低于维持电流或加上反向电压，才能使其关断〕n圉9GTO的艾断特性gto的关断损耗在下降时间t f阶段内相当集中，其瞬时功耗与尖峰电压u有关。
过大的瞬时功耗会出现类似晶体管二P次击穿的现象，造成GTO损坏在实际应用中应尽量减小缓冲电路的杂散电 感，选择电感小的二极管及电容等元件，以便减小尖峰电压UP阳极电流急剧减小以后，呈现出一个缓慢衰减的尾部电流由于此时阳 极电压已经升高，因此GT o关断时的大局部功率损耗出现在尾部时间在一 样的关断条件下，GTO型号不同，相应的尾部电流起始值幕和尾部电流的持 续时间均不同在存储时间内过大的门极反向电流上升率di /dt会使尾部时RG间加长此外，过高的重加du/dt会使GTO因瞬时功耗过大而在尾部时间内 损坏器件因此必须很好地控制重加du/dt，设计适当的缓冲电路一般来说， GTO关断时总的功率损耗随阳极电流的增大而增大，随缓冲电容的增加而减 小门极负电流、负电压波形是GTO特有的门极动态特性，如图(9)所示门 极负电流的最大值随阳极可关断电流的增大而增大门极负电流增长的速度 与门极所加负电压参数有关如果在门极电路中有较大的电感，会使门极-阴 极结进入雪崩状态在雪崩期间，阴极产生反向电流与阴极反向电流对应 的时间为雪崩时间t，在这段时间内，阳极仍有尾部电流，门极继续从阳极BR抽出电流门极负电流中既有从阳极抽出的电流又有阴极反向电流。
如果门 极实际承受的反向电流不超过门极雪崩电压u ，那么不会出现阴极反向电GR流实际应用中，多数情况下不使门极-阴极结产生雪崩现象，以防止因雪崩 电流过大而损坏门极-阴极结除了以上特别提出讨论的几个工作特性外，GTO的其他工作特性及参数 都与普通晶闸管没有多少差异，这里不再赘述。