QT2晶体管图示仪使用方法介绍QT 2使用方法介绍 QT2晶体管图示仪使用方法介绍 Lab one QT2 一、实验目的 熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数 二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理 1．概述 YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等 2．主要技术指标 Y轴偏转系数 集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过±5%；二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%；外接输入为0.1V/div误差不超过±5% X轴偏转系数 集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过±5%；基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过±5%；外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。
阶梯信号 阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档；1μA/级~50mA/级，误差不超过±5%，0.1μA/级误差不超过±7%；阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不- 1 - QT 2使用方法介绍 超过±5%；串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过±10%；每簇级数4~10级连续可调2．4 集电极扫描电源、高压二极管测试电源 - 2 - QT 2使用方法介绍 其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表： 5V档 50V档 500V档 3kV档 0~5V 10A 0~50V 1A 0~500V 0.1A 0~3kV 2mA 功耗限制电阻0.5MΩ，分11档，误差不超过±10% 其它 校正信号为0.5Vp-p误差不超过±2%，1Vp-p误差不超过±2%；示波管15SJ110Y14内；电源电压为V；电源频率为Hz；视在功率在非测试状态约50W；满功率测试状态约80W 3． 仪器使用说明 YB4810型晶体管特性图示仪正反面结构图 主机 将电源开关按键[1]按下，将电源线接入，按电源开关以接通电源；改变示波管栅阴极之间电压来改变电子束强度，从而控制辉度[2]，该电位器顺时针旋转，逐渐变亮，使用时辉度应适中；当示波管屏幕上水平光迹[3]与水平内刻度线不平行时，可调节该电位器使之平行；改变示波管第二阳极电压使电子聚焦[4]；改变示波管第三阳极电压使电子聚焦[5]通常在使用时图象清晰。
Y轴作用 - 3 - QT 2使用方法介绍 晶体管测试时可将其特性在示波管波形屏幕[6]直观地显示出来；电流/度开关[7]是一种具有22档四种偏转作用的开关，其中含有集电极电流IC10μA/div~0.5A/div，分15档，二极管反向漏电流IR0.2μA/div~5μA/div，分5档，基极电流或基极源电压，外接；Y轴移位[8]顺时针旋动，光迹向上，反之向下 X轴作用 X轴移位[10]顺时针旋动光迹向左，反之向右；电压/度开关[11]是一种具有17档四种偏转作用的开关，其中含有集电极电压VCE0.05V/div~50VA/div，分10档，基极电流或基极源电压，外接；双簇移位[12]可使二簇特性曲线显示在合适的水平位置上 校正及转换开关 校正及转换开关[13]是由三个按钮组成的直键开关，上面是Y轴10度校正信号，下面是X轴10度校正信号，中间是转换开关，按入和弹出两个状态满足NPN和PNP管子测试的需要 阶梯信号 级/簇[14]是用来调节阶梯信号的级数，能在4~10级内任意选择；调零[15]；串联电阻[16]；电流-电压/级[17]是一个23档具有两种作用的开关，其中基极电流0.1μA/级~50mA/级共18档，基极电压源0.05V/级~1V/级；重复/关选择开关[18]，重复表示阶梯信号连续输出，作正常测试，关表示阶梯信号没有输出，但处于待触发状态；单簇按键[19]可方便、准确地测试半导体器件的极限参数；极性按钮[20]是为了满足不同类型的器件需要来选择阶梯信号的极性。
集电极电源 保险丝[21]起保护作用；容性平衡[22]克服误差；辅助容性平衡[23]；功耗限制电阻[24]在测试击穿电压或二极管正向特性时作限制电阻；峰值电压[25]旋钮可在0~5V、0~20V、0~100V、0~500V之间连续选择；极性开关[26]可以转换集电极电源的正负极性；峰值电压范围[27]可分为5V、20V、100V、500V四档；3kV高压测试按钮[28]；3kV高压输出插座[29] - 4 - QT 2使用方法介绍 测试控制器 测试插孔B[30]、A[31]；测试选择开关[32]，其中零电压钮用来校正阶梯信号作电压源输出时其起始级的零电压，该钮按入时被测管的栅极接地，零电流钮按入时被测管的基极开路，A钮按入时A测试插孔接通，B钮同理，全部弹出时同时测试比较两个管子 其它 1Vp-p校正信号输出插孔[34]；0.5VVp-p校正信号输出插孔[35]；Y轴输入插孔[36]；X轴输入插孔[37]；电源插座[38]；CT测试端[39]；CT地[40] 四、实验仪器及测试器件： YB4801A晶体管特性图示仪，硅NPN三极管9014，N沟耗尽型场效应管3DJ7F，硅NPN三极管2SC1815，硅整流二极管1N4007，锗二极管，硅稳压二极管0.5W 7.5V和1W 12V。
五、实验内容及步骤： 1．测量硅NPN三极管9014的共发射极输出特性 EBCEBCVcc峰值电压调为0， 按图插上三极管9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X轴 集电极电压1V/度 Y轴 集电极电流1mA/度 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电流：10μA/级 峰值电压调大至合适位置 测试并画出IC－VCE特性曲线， 并分别标出放大区、截止区、饱和 区和击穿区 VoVi- 5 - QT 2使用方法介绍 2．测量硅NPN三极管9014的共发射极直流电流增益β 峰值电压调为0， 按图插上三极管9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X轴 集电极电压0.1V/度 Y轴 集电极电流2mA/度 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电压：0.5V/级 峰值电压调大至合适位置 测试并画出IB－VBE特性曲线 EBC峰值电压调为0， 按图插上三极管9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X轴 基极电流 Y轴 集电极电流1mA/度 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电流：10μA/级 峰值电压调大至合适位置。
测试并求出β值 3．测量硅NPN三极管9014的共发射极输入特性 EBC- 6 - QT 2使用方法介绍 4．测量硅NPN三极管9014的共基极输出特性 5．测量硅NPN三极管9014的共基极直流电流增益α 峰值电压调为0， 按图插上三极管9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X轴 基极电流 Y轴 集电极电流1mA/度 阶梯信号：重复； 极性：－ 阶梯电流：1mA/级 峰值电压调大至合适位置 测试并求出α值 a根据测量结果验证：b= 1-aEBCVccEBC峰值电压调为0， 按图插上三极管9014 峰值电压：0~20V，极性：+ 功耗电阻：250Ω X轴 集电极电压1V/度 Y轴 集电极电流1mA/度 阶梯信号：重复； 极性：－ 阶梯电流：1mA/级 峰值电压调大至合适位置 测试并画出IC－VCB特性曲线 ViVo- 7 - QT 2使用方法介绍 6．测量N沟耗尽型场效应管3DJ7F的共源极输出特性 峰值电压调为0， 按图插上两个三极管2SC1815 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：50Ω X轴 集电极电压1V/度 轴 集电极电流2mA/度 Y 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电流：10μA/级 测试选择：双簇 峰值电压调大至合适位置。
测试并画出IC－VCE特性曲线， 根据特性曲线判断是否适合作对管 ECBGEBC峰值电压调为0， D按图插上N沟耗尽型管3DJ7F 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：1KΩ X轴 集电极电压1V/度 Y轴 集电极电流0.5mA/度 阶梯信号：重复； 极性：－ 阶梯电压：0.2V/级 峰值电压调大至合适位置 测试并画出ID-VDS特性曲线 GSSD7．测量硅NPN三极管2SC1815双管输出特性，进行比较 EBCBCE- 8 - QT 2使用方法介绍 8．测量硅整流二极管1N4007和锗二极管的正向特性，加以比较 峰值电压调为0， 按图两边同时插上0.5W 7.5V和1W 12V硅稳压二极管 峰值电压范围：0~20V，极性：+ 功耗电阻：1KΩ X轴 集电极电压2V/度 Y轴 集电极电流1mA/度 A、B交替测试，并画出稳压特性曲线，验证稳压值 六、分析讨论 1．晶体管特性图示仪属那类测试仪器? 2．为什么它能在不损坏器件的情况下，可测量极限参数，如击穿电压、饱和压降？ CEBC峰值电压调为0， 按图两边同时插上硅、锗二极管 峰值电压范围：0~5V，极性：+ 功耗电阻：2.5Ω X轴 集电极电压0.1V/度 Y轴 集电极电流20mA/度 峰值电压调大至合适位置， A、B交替测试， 并画出正向特性曲线， 分别求出硅、锗二极管的导通电压。
BE3AX22 9．测量硅稳压二极管0.5W 7.5V和1W 12V的稳压特性 EBC- 9 - 。