晶体管最大耗散功率最大耗散功率(Maximum dissipation power ):(1) 对于双极型晶体管：BJT 的总耗散功率为 Pc=Ie Vbe + Ic Vcb + Ic res 〜Ic Vcb)，并 且Pc关系到输出的最大交流功率Po: Po =(供给晶体管的直流功率Pd)- (晶体管耗散的功率pc) = [n /(1 - n)]Pc - Pc,即输出交流功率与晶体 管的耗散功率成正比(n = Po / Pd是转换效率)晶体管功率的耗散(消 耗)即发热，如果此热量不能及时散发掉，则将使集电结的结温Tj升高，这 就限制了输出功率的提高；最高结温Tjm (一般定为175 oC)时所对应的耗 散功率即为最大耗散功率Pem为了提高Po，就要求提高Pc,但Pc的提 高又受到结温的限制，为使结温不超过 Tjm，就需要减小晶体管的 热阻Rt ； 最大耗散功率Pcm *1/ Rt最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为 (PcmsNPcm ):稳态时，Pcm = (Tjm - Ta) / Rt ；瞬态时，Pems = (Tjm - Ta) / Rts提高PCM的措施，主要是降低热阻RT和降低环境温度Ta ；同时，晶 体管在脉冲和高频工作时，PC增大，安全工作区扩大，则最大耗散功率增 大，输出功率也相应提高。
2) 对于 M0SFET ：其最大输出功率也要受到器件散热能力的限制：Pcm = (Tjm - Ta) / Rt, MOSFET的最高结温Tjm仍然定为175 oC,发热中心是在漏结附近的沟道表 面处，则Rt主要是芯片的热阻(热阻需要采用计算传输线特征阻抗的方法 来求出)。